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Uma estrutura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) é um dispositivo eletrónico formado por um substrato de silício dopado, sobre o qual se faz crescer uma capa de óxido (SiO2). Os elementos se contactam com dois terminais metálicos chamados substrato e comporta. A estrutura compara-se com um condensador de placas paralelas, onde se substitui uma das placas pelo silício semicondutor do substrato, e a outra por um metal, ainda que na prática se usa polisilício, isto é, um policristal de silício.